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首页 首页 > 产品中心 > 磁传感器芯片系列 > 线性类磁传感器芯片 > FFE系列

FFE-020F16T21SJR

● TMR(隧道磁阻效应)技术
● DFN1.6×1.6-3L 封装,内置半惠斯通电桥
● 内置高精度、低功耗运算放大器
● 输出信号为模拟量输出
● 低功耗、低磁滞、高频响应
● 低输出噪声,保证传感器具备优异分辨率
  • 产品尺寸结构图

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